Publications HAL de mounira Berkani; mounira bouarroudj-berkani; M Berkani

2018

Conference papers

titre
Inductances enfouies au PCB pour l'électronique de puissance
auteur
Mickael Petit, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, François Costa, Mounira Berkani, Bertrand Revol
article
COMET, Elaboration de composants passifs magnétiques, CNES Toulouse, Apr 2018, Toulouse, France
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2017

Journal articles

titre
Mechanisms of power module source metal degradation during electro-thermal aging
auteur
Roberta Ruffilli, Mounira Berkani, Philippe Dupuy, Stéphane Lefebvre, Yann Weber, Marc Legros
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2017, 76-77, pp.507 - 511. ⟨10.1016/j.microrel.2017.06.086⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01575130/file/HAL_FullPaper98.pdf BibTex

Preprints, Working Papers, ...

titre
Aluminum metallization and wire bonding aging in power MOSFET modules
auteur
Roberta Ruffilli, M Berkani, P Dupuy, S Lefebvre, Y Weber, Bénédicte Warot-Fonrose, Cécile Marcelot, Marc Legros
article
2017
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01491384/file/Aluminum%20metallization%20and%20wire%20bonding%20aging%20in%20power%20MOSFET%20modules_HALcopy.pdf BibTex

2016

Conference papers

titre
Surface analysis of smart power top metal: IR thermal measurement and source potential mapping
auteur
Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Gilles Rostaing, Michel Riccio, Roberta Ruffilli, Philippe Dupuy
article
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016 28th, Jun 2016, Prague, Czech Republic. ⟨10.1109/ISPSD.2016.7520861⟩
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titre
Analyse du vieillissement de la métallisation d'un MOSFET par la distribution du potentiel de source
auteur
Roberta Ruffilli, Mounira Berkani, Gilles Rostaing, Marc Legros, Stéphane Lefebvre, Philippe Dupuy
article
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361625/file/SGE_Papier_Final.pdf BibTex

2015

Journal articles

titre
In-depth investigation of metallization aging in power MOSFETs
auteur
Roberta Ruffilli, M Berkani, P Dupuy, Stéphane Lefebvre, Y Weber, Marc Legros
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2015, Proceedings of the 26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, SI:Proceedings of ESREF 2015, 55 (9-10), pp.1966-1970. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.036⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01700466/file/esref2015_HALversion.pdf BibTex

2014

Journal articles

titre
3-D electrothermal simulation of active cycling on smart power MOSFETs during short-circuit and UIS conditions
auteur
Michele Riccio, Vincenzo D’alessandro, Andrea Irace, Gilles Rostaing, Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Philippe Dupuy
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2014, 54 (9-10), pp.1845 - 1850. ⟨10.1016/j.microrel.2014.08.011⟩
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titre
Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices
auteur
Ghania Belkacem, Stéphane Lefebvre, Pierre-Yves Joubert, Mounira Bouarroudj-Berkani, Denis Labrousse, Gilles Rostaing
article
European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2014, 66 (2), ⟨10.1051/epjap/2014130486⟩
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Conference papers

titre
Etude comparative de l'effet des contraintes électriques extrêmes - application aux composants " Smart Power
auteur
Gilles Rostaing, Mounira Berkani, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, Philippe Dupuy
article
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065246/file/resume_SGE2014_final.pdf https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065246/file/SGE2014_final.pdf BibTex
titre
3-D electrothermal simulation of active cycling on smart power MOSFETs during short-circuit and UIS conditions
auteur
Michele Riccio, Vincenzo d'Alessandro, Andrea Irace, Gilles Rostaing, Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Philippe Dupuy
article
ESREF, 2014, Berlin, Germany
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titre
Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints
auteur
Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, O. Latry, Francois Fouquet, Othman Dhouha, Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre
article
CENICS, 2014, Lisbonne, Portugal
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2013

Journal articles

titre
Reliability of power MOSFET-based smart switches under normal and extreme conditions for 24 V battery system applications
auteur
Gilles Rostaing, Mounira Bouarroudj-Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Philippe Dupuy
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9-11), pp.1703-1706
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titre
Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices
auteur
Dhouha Othman, Stéphane Lefebvre, Mounira Bouarroudj-Berkani, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, Arezki Bouzourene
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9-11), pp.1735-1738
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titre
Saturation Current and On-Resistance Correlation during Repetitive Short Circuit Conditions on SiC JFETs Transistors
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir
article
IEEE Transactions on Power Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 28 (2), pp.621 - 624. ⟨10.1109/TPEL.2012.2215629⟩
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titre
Reliability of power MOSFET-based smart switches under normal and extreme conditions for 24 V battery system applications
auteur
G Rostaing, M Berkani, D Mechouche, D Labrousse, S Lefebvre, Z Khatir, P Dupuy
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9), pp 1703-1706. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.120⟩
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titre
Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices
auteur
Dhouha Othman, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, Arezki Bouzourene
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9), pp 1735-1738. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.072⟩
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Conference papers

titre
Investigation of 1.2 kV Investigation of SiC MOSFETs for Aeronautics Applications
auteur
Dhouha Othman, S Lefebvre, M Berkani, Z Khatir, A Ibrahim, A Bouzourene
article
European Conference on Power Electronics and Applications, Sep 2013, France. 9p
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titre
Investigation of 1.2 kV investigation of SiC MOSFETs for aeronautics applications
auteur
Dhouha Othman, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, Arezki Bouzourene
article
Power Electronics and Applications (EPE), 2013 15th European Conference on, Sep 2013, Lille, France. pp.1-9, ⟨10.1109/EPE.2013.6634665⟩
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titre
Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices
auteur
Othman Dhouha, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, Arezki Bouzourene
article
ESREF, 2013, Arcachon, France
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titre
Reliability of power MOSFET-based smart switches under normal and extreme conditions for 24 V battery system applications
auteur
Gilles Rostaing, Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Philippe Dupuy
article
ESREF, 2013, Arcachon, France
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2012

Journal articles

titre
Comparison study on performances and robustness between SiC MOSFET & JFET devices - Abilities for aeronautics application
auteur
Dhouha Othman, Mounira Bouarroudj-Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Ali Ibrahim, Arezki Bouzourene
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, 52 (9-10), pp.1859-1864
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titre
New Investigation Possibilities on Forward Biased Power Devices using Cross-Sections
auteur
Thierry Kociniewski, Jeff Moussodji, Zoubir Khatir, Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Stephane Azzopardi
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 33 (4), pp.576-578
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titre
New Investigation Possibilities on Forward Biased Power Devices using Cross-Sections
auteur
T Kociniewski, Jeff Moussodji, Zoubir Khatir, M Berkani, S Lefebvre, Stéphane Azzopardi
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 33 (4), pp.576-578. ⟨10.1109/LED.2011.2182492⟩
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titre
Comparison Study on Performances and Reliability between MOSFET & JFET Silicon carbide technologies - Abilities for Aeronautics Application
auteur
D Othman, Mounira Berkani, S Lefebvre, Ali Ibrahim, Zoubir Khatir, A Bouzourene
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, 52 (10), pp.1859-1864. ⟨10.1016/j.microrel.2012.06.078⟩
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2011

Journal articles

titre
Ageing and Failure Modes of IGBT Modules in High Temperature Power Cycling
auteur
Vanessa Smet, François Forest, Jean-Jacques Huselstein, Frédéric Richardeau, Zoubir Khatir, Stéphane Lefebvre, Mounira Bouarroudj-Berkani
article
IEEE Transactions on Industrial Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 58 (10), pp.4931 - 4941. ⟨10.1109/TIE.2011.2114313⟩
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titre
A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices
auteur
Sylvain Pietranico, Sylvie Pommier, Stéphane Lefebvre, Mounira Bouarroudj-Berkani, Serge Bontemps
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51, pp.1824-1829
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titre
Ageing defect detection on IGBT power modules by artificial training methods based on pattern recognition
auteur
Amrane Oukaour, B. Tala-Ighil, B. Pouderoux, M. Tounsi, Mounira Bouarroudj-Berkani, Stéphane Lefebvre, B. Boudart
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51, pp.386-391
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titre
Effect of die metallization layer ageing in the case of power semiconductor devices
auteur
Sylvie Pommier, Stéphane Lefebvre, Sylvain Pietranico, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Serge Bontemps, Emmanuel Cadel
article
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2011, 14 (5), pp.569-585. ⟨10.3166/Geo.19.11-38⟩
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Conference papers

titre
Failure modes and robustness of SiC JFET transistors under current limiting operations
auteur
Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Othman Dhouha, Moumen Sabrine, Zoubir Khatir, Salah Tarek Ben
article
Power Electronics and Applications (EPE 2011),, Aug 2011, Birmingham, United Kingdom. pp.1-10
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2010

Journal articles

titre
Ageing of SiC JFET transistors under repetitive current limitation conditions
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Dhouha Othman, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2010, 50, pp.1532-1537
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titre
Ageing of SiC JFET transistors under repetitive current limitation conditions
auteur
Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Dhouha Othman, Sabrine Moumen, Tarek Bensallah
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2010, 50, pp.1532-1537
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Conference papers

titre
Etude du vieillissement de la couche de métallisation de composants de puissance à semi-conducteur
auteur
Sylvain Pietranico, Sylvie Pommier, Stéphane Lefebvre, Mounira Berkani, Zoubir Khatir, Bontemps Serge, E. Cadel
article
Électronique de Puissance du Futur, Jun 2010, Saint Nazaire, France. pp.1-10
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2009

Journal articles

titre
Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations
auteur
Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Narjes Boughrara, Zoubir Khatir, J.C. Faugières, Peter Friedrichs, Ali Haddouche
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49, pp.1358-1362
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Conference papers

titre
Investigations on ageing of IGBT transistors under repetitive short-circuits operations
auteur
Mounira Berkani, Stéphane Lefebvre, Zoubir Khatir, Serge Bontemps
article
International Conference & Exhibition on Power Electronics/Intelligent Motion/Power Quality, Jun 2009, Shanghai, China. pp.237-242
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2008

Journal articles

titre
Temperature Levels Effect on Solder Lifetime During Thermal Cycling of Power Modules
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Zoubir Khatir, Jean-Pierre Ousten, Stéphane Lefebvre
article
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 8, pp.471 - 477. ⟨10.1109/TDMR.2008.2002354⟩
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Conference papers

titre
Temperature Levels Effects on the Thermo-Mechanical Behaviour of Solder Attach During Thermal Cycling of Power Electronic Modules
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Zoubir Khatir, Stéphane Lefebvre
article
Power Electronics Specialists Conference, 2008. PESC 2008. IEEE, Jun 2008, Rhodes, Greece
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Theses

titre
Etude de la fatigue thermo-mécanique de modules électroniques de puissance en ambiance de températures élevées pour des applications de traction de véhicules électriques et hybrides
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani
article
Sciences de l'ingénieur [physics]. École normale supérieure de Cachan - ENS Cachan, 2008. Français
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00346572/file/These_MBouarroudj_ver-cor.pdf BibTex

2007

Journal articles

titre
Degradation behavior of 600 V-200 A IGBT modules under power cycling and high temperature environment conditions
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Zoubir Khatir, Jean-Pierre Ousten, F. Badel, Laurent Dupont, Stéphane Lefebvre
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2007, 47, pp.719-1724
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Conference papers

titre
Comparison of stress distributions and failure modes during thermal cycling and power cycling on high power IGBT modules
auteur
Mounira Bouarroudj-Berkani, Zoubir Khatir, Jean-Pierre Ousten, Stéphane Lefebvre, Laurent Dupont
article
Power Electronics and Applications, 2007 European Conference on, Sep 2007, Aalborg, Denmark
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